Diode semiconductoare “p-n” - test

Figura 1 prezinta structura unei diode 'p-n'.

Figura 1

Cu 'n' s-a notat:

a)     concentratia de goluri;

b)     concentratia de electroni;CORECT

c)     concentratia de atomi donori;

d)     concentratia de atomi acceptori

Figura 1 prezinta structura unei diode 'p-n'. Cu 'p' s-a notat:

a)    

b)     concentratia de goluri; CORECT

c)     concentratia de electroni;

d)     concentratia de atomi donori;

e)     concentratia de atomi acceptori

Figura 1 prezinta structura unei diode 'p-n'. Cu 'N_A' s-a notat:

a)    

b)     concentratia de goluri;

c)     concentratia de electroni;

d)     concentratia de atomi donori;

e)     concentratia de atomi acceptori CORECT

Figura 1 prezinta structura unei diode 'p-n'. Cu 'N_D' s-a notat:

a)    

b)     concentratia de goluri;

c)     concentratia de electroni;

d)     concentratia de atomi donori; CORECT

e)     concentratia de atomi acceptori

In functionare normala (considerand curentul rezidual neglijabil) curentul prin dioda redresoare circula:

a)     numai de la anod spre catod; CORECT

b)     numai de la catod spre anod;

c)     uneori de la anod spre catod si alteori de la catod spre anod;

d)     functie de aplicatie.

Figura 2 prezinta simbolul:

Figura 2

a)    

b)     unei diode Zener;

c)     unei diode redresoare; CORECT

d)     unei diode varicap;

e)     unui tiristor.

Prin sintagma 'efect de dioda' se intelege:

a)     aparitia regiunii de sarcina spatiala intr-o jonctiune 'p-n';

b)     conductia unilaterala (curentul circula numai de la anod spre catod); CORECT

c)     dependenta exponentiala a curentului de tensiune la conductie;

d)     dependenta rezistentei de semnal mic de punctul static de functionare

Figura 3 prezinta o jonctiune 'p-n' la echilibru termic. Din punct de vedere electric, regiunea 2 aflata in stanga jontiunii metalurgice:

a)     este incarcata pozitiv;

b)     este incacata negativ; CORECT

c)     nu este incarcata electric;

d)     este uneori incarcata pozitiv alteori negativ.

Figura 3

Figura 3 prezinta o jonctiune 'p-n' la echilibru termic. Din punct de vedere electric, regiunea 3 aflata in dreapta jontiunii metalurgice:

a)     este incarcata pozitiv; CORECT

b)     este incacata negativ;

c)     nu este incarcata electric;

d)     este uneori incarcata pozitiv alteori negativ.

Figura 3 prezinta o jonctiune 'p-n' la echilibru termic. Din punct de vedere electric, regiunea 1:

a)     este incarcata pozitiv;

b)     este incacata negativ;

c)     nu este incarcata electric; CORECT

d)     este uneori incarcata pozitiv alteori negativ.

Figura 3 prezinta o jonctiune 'p-n' la echilibru termic. Din punct de vedere electric, regiunea 4:

a)     este incarcata pozitiv;

b)     este incacata negativ;

c)     nu este incarcata electric; CORECT

d)     este uneori incarcata pozitiv alteori negativ.

Figura 4 prezinta o jonctiune 'p-n' la echilibru termic. Procesul de difuzie al purtatorilor mobili are loc:

a)     la nivelul regiunii neutre p;

b)     la nivelul regiunii neutre n;

c)     la nivelul regiunii de tranzitie; CORECT

d)     in toata structura.

Figura 4

Figura 4 prezinta o jonctiune 'p-n' la echilibru termic. Regiunea de tranzitie apare:

a)     datorita campului electric intern;

b)     datorita barierei de potential;

c)     datorita procesului de difuzie al purtatorilor mobili; CORECT

d)     datorita procesului de difuzie al purtatorilor fixi.

Figura 4 prezinta o jonctiune 'p-n' la echilibru termic. Fenomenul de difuzie care sta la baza explicarii efectului de dioda inceteaza stunci cand:

a)     concentratia de goluri din regiunea 'p' echilibreaza concentratia de electroni din regiunea 'n';

b)     fortele electrice echilibreaza fortele de difuzie; CORECT

c)     concentratia de goluri din regiunea 'n' echilibreaza concentratia de electroni din regiunea 'p';

d)     concentratia de goluri echilibreaza concentratia de electroni.

Daca anodul unei diode este mai pozitiv decat catodul despre  dioda de spune ca este:

a)     polarizata direct; CORECT

b)     polarizata invers;

c)     prepolarizata;

d)     nepolarizata.

La polarizare directa bariera interna de potential este:

a)     crescuta;

b)     cobotata; CORECT

c)     neafectata;

d)     anulata.

La polarizare inversa bariera interna de potential este:

a)     crescuta; CORECT

b)     coborata;

c)     neafectata;

d)     anulata.

La polarizare directa campul electric intern este:

a)     crescut;

b)     coborat; CORECT

c)     neafectat;

d)     anulat.

La polarizare inversa campul electric intern este:

a)     crescut; CORECT

b)     cobotat;

c)     neafectat;

d)     anulat.

Ecuatia caracteristica statica pentru dioda ideala este . Marimea 'i_A' reprezinta:

a)     valoarea instantanee de semnal mic a curentului prin dioda;

b)     valoarea instantanee totala a curentului prin dioda; CORECT

c)     valoarea continua a curentului prin dioda;

d)     valoarea efectiva a curentului prin dioda.

Ecuatia caracteristica statica pentru dioda ideala este . Marimea 'u_A' reprezinta:

a)     valoarea instantanee de semnal mic a caderii de tensiune pe dioda;

b)     valoarea instantanee totala a caderii de tensiune pe dioda; CORECT

c)     valoarea continua a caderii de tensiune pe dioda;

d)     valoarea efectiva a caderii de tensiune pe dioda.

Ecuatia caracteristica statica pentru dioda ideala este . Marimea 'V_T' poarta numele de tensiune termica. La temperatura ambianta ea are valoarea aproximativa:

a)     2.5 mV

b)     25 mV; CORECT

c)     250 mV;

d)     2.5 V.

Relatia intre curent si tensiune (caracteristica statica) in cazul unei diode semiconductoare cu germaniu sau cu siliciu care conduce urmeaza:

a)     o lege liniara;

b)     o lege patratica;

c)     o lege parabolica de exponent 3/2;

d)     o lege exponentiala. CORECT

Consideram o dioda cu germaniu si o dioda cu siliciu avand aceleasi limite de curent. Comparand cele doua diode in ceea ce priveste caderea de tensiune corespunzatoare unui anumit curent in regim de conductie directa si curentul rezidual in regim de conductie inversa, se poate face urmatoarea afirmatie:

a)     caderea de tensiune in conductie directa si curentul invers sunt mai mici la dioda cu siliciu;

b)     caderea de tensiune in conductie directa este mai mica iar curentul invers este mai mare la dioda cu siliciu;

c)     caderea de tensiune in conductie directa si curentul invers sunt mai mari la dioda cu siliciu;

d)     caderea de tensiune in conductie directa este mai mare iar curentul invers este mai mic la dioda cu siliciu. CORECT

Caracteristica statica a unei diode semiconductoare este prezentata in figura 5.

Figura 5

Regiunea AB reprezinta:

a)     regiunea de blocare la polarizare inversa;

b)     regiunea de blocare la polarizare directa;

c)     regiunea de conductie;

d)     regiunea de stapungere. CORECT

Caracteristica statica a unei diode semiconductoare este prezentata in figura 5. Regiunea BC reprezinta:

a)    

b)     regiunea de blocare la polarizare inversa; CORECT

c)     regiunea de blocare la polarizare directa;

d)     regiunea de conductie;

e)     regiunea de stapungere.

Caracteristica statica a unei diode semiconductoare este prezentata in figura alaturata. Regiunea CD reprezinta:

a)    

b)     regiunea de blocare la polarizare inversa;

c)     regiunea de blocare la polarizare directa; CORECT

d)     regiunea de conductie;

e)     regiunea de stapungere.

Caracteristica statica a unei diode semiconductoare este prezentata in figura alaturata. Regiunea DE reprezinta:

a)    

b)     regiunea de blocare la polarizare inversa;

c)     regiunea de blocare la polarizare directa;

d)     regiunea de conductie; CORECT

e)     regiunea de stapungere.

Figura 6 prezinta una din posibilitatile de liniarizare pe portiuni a caracteristicii statice.

Figura 6

Conform acestei aproximari dioda se comporta ca:

a)     sursa de curent;

b)     un scurcircuit;

c)     un comutator; CORECT

d)     o sursa de tensiune.

Multiplicarea in avalansa are loc:

a)     la tensiuni mari si este specifica jonctiunilor slab dopate; CORECT

b)     la tensiuni mici si este specifica jonctiunilor slab dopate;

c)     la tensiuni mari si este specifica jonctiunilor puternic dopate;

d)     la tensiuni mici si este specifica jonctiunilor puternic dopate.

Efectul 'tunel' are loc:

a)     la tensiuni mici si este specific jontiunilor puternic dopate; CORECT

b)     la tensiuni mari si este specific jontiunilor puternic dopate;

c)     la tensiuni mici si este specific jontiunilor slab dopate;

d)     la tensiuni mari si este specific jontiunilor slab dopate.

Figura 7 prezinta simbolul unei:

Figura 7

a)    

a)     diode redresoare;

b)     diode stabilizatoare; CORECT

c)     diode varicap;

d)     tiristor.

Diodele stabilizatoare lucreaza in regim de

a)     conductie;

b)     blocare la polarizare directa;

c)     blocare la polarizare inversa;

d)     strapungere. CORECT

Pentru o dioda semiconductoare redresoare parametrii electrici de interes sunt:

a)     I_FM (curentul direct maxim admisibil) si V_Z (tensiunea nominala de stabilizare) ;

b)     V_BR (tensiunea de stapungere) si I_FM (curentul direct maxim admisibil) ; CORECT

c)     I_ZM (curentul maxim admisibil prin dioda la polarizare inversa) si V_Z (tensiunea nominala de stabilizare) ;

d)     V_Z (tensiunea nominala de stabilizare) si I_FM (curentul direct maxim admisibil.

Pentru o dioda semiconductoare stabilizatoare parametrii electrici de interes sunt:

a)     I_FM (curentul direct maxim admisibil) si V_Z (tensiunea nominala de stabilizare) ;

b)     V_BR (tensiunea de stapungere) si I_FM (curentul direct maxim admisibil) ;

c)     I_ZM (curentul maxim admisibil prin dioda la polarizare inversa) si V_Z (tensiunea nominala de stabilizare) ; CORECT

d)     V_Z (tensiunea nominala de stabilizare) si I_FM (curentul direct maxim admisibil.

Pentru a indeplini conditia de semnal mic, semnalul pe dioda trebuie sa fie mai mic de:

a)     1 mV;

b)     10 mV; CORECT

c)     25 mV;

d)     100 mV.

Conductanta de semnal mic a diodei are valoarea:

a)     ;

b)     ; CORECT

c)     ;

d)     .

Modelul matematic al unei diode semiconductoare ce lucreaza in conditii de semnal mic, regim cvasistatic este:

a)     ; CORECT

b)     ;

c)     ;

d)     .

Schema echivalenta a unei diode semiconductoare ce lucreaza in conditii de semnal mic, regim cvasistatic este:

a)

  CORECT

b)

c)

d)