Tranzistoare cu efect de camp - test

Figura 1 prezinta simbolul unui:

Figura 1

a)     TECJ cu canal p

b)     TECJ cu canal nCORECT

c)     TECMOS cu canal initial p

d)     TECMOS cu canal initial n

Figura 2 prezinta simbolul unui:

Figura 2

a)     TECJ cu canal pCORECT

b)     TECJcu canal n

c)     TECMOS cu canal initial p

d)     TECMOS cu canal initial n

Figura 3 prezinta simbolul unui:

Figura 3

a)     TECMOS cu canal indus p

b)     TECMOS cu canal indus n

c)     TECMOS cu canal initial p

d)     TECMOS cu canal initial nCORECT

Figura 4 prezinta simbolul unui:

Figura 4

a)     TECMOS cu canal indus p

b)     TECMOS cu canal indus n

c)     TECMOS cu canal initial pCORECT

d)     TECMOS cu canal initial n

Figura 5 prezinta simbolul unui:

a)     TECMOS cu canal indus p

b)     TECMOS cu canal indus n

c)     TECMOS cu canal initial pCORECT

d)     TECMOS cu canal initial n

Figura 6 prezinta simbolul unui:

Figura 6

a)     TECMOS cu canal indus p

b)     TECMOS cu canal indus n

c)     TECMOS cu canal initial p

d)     TECMOS cu canal initial nCORECT

Tipurile de tranzistoare cu efect de camp cu poarta izolata (TECMOS) sunt:

a)     canal n si canal p, atat cu canal indus cat si cu canal initial; CORECT

b)     canal n si canal p, numai cu canal indus;

c)     canal n si canal p, numai cu canal initial;

d)     numai canal n, atat cu canal indus cat si cu canal initial.

La conectare unui tranzistor cu efect de camp cu poarta izolata (TECMOS) in circuit, precum si la transportarea si manipularea lui se obisnuieste sa se conecteze terminalele impreuna. Aceasta se face pentru:

a)     a impiedica terminalele sa se rupa;

b)     a folosi conductibilitate buna a terminalelor pentru a mentine o temperatura uniforma in dispozitiv;

c)     a impiedica acumularea accidentala de sarcini electrice pe electrodul de poarta, deoarece aceasta ar putea crea un camp suficient de mare pentru a 454c29e distruge stratul izolator; CORECT

d)     a impiedica introducerea curentilor in canal prin supraincalzirea dispozitivului

Care sunt conditiile corecte de polarizare pentru un TECJ cu canal n folosit ca simplu amplificator?

a)     grila negativa fata de sursa, drena negativa fata de grila;

b)     grila pozitiva fata de sursa, drena pozitiva fata de grila;

c)     grila negativa fata de sursa, drena pozitiva fata de grila; CORECT

d)     grila pozitiva fata de sursa, drena negativa fata de grila.

Care sunt conditiile corecte de polarizare pentru un TECJ cu canal p folosit ca simplu amplificator?

a)     grila negativa fata de sursa, drena negativa fata de grila;

b)     grila pozitiva fata de sursa, drena pozitiva fata de grila;

c)     grila negativa fata de sursa, drena pozitiva fata de grila;

d)     grila pozitiva fata de sursa, drena negativa fata de grila. CORECT

Care sunt conditiile corecte de polarizare pentru un TECMOS cu canal indus n folosit ca simplu amplificator?

a)     grila negativa fata de sursa, drena negativa fata de grila;

b)     grila pozitiva fata de sursa, drena pozitiva fata de grila; CORECT

c)     grila negativa fata de sursa, drena pozitiva fata de grila;

d)     grila pozitiva fata de sursa, drena negativa fata de grila.

Care sunt conditiile corecte de polarizare pentru un TECMOS cu canal indus p folosit ca simplu amplificator?

a)     grila negativa fata de sursa, drena negativa fata de grila; CORECT

b)     grila pozitiva fata de sursa, drena pozitiva fata de grila;

c)     grila negativa fata de sursa, drena pozitiva fata de grila;

d)     grila pozitiva fata de sursa, drena negativa fata de grila.

Care sunt conditiile corecte de polarizare pentru un TECMOS cu canal initial n folosit ca simplu amplificator?

a)     grila intotdeauna negativa fata de sursa, drena intotdeauna negativa fata de sursa;

b)     grila intotdeauna negativa pozitiva fata de sursa, drena intotdeauna negativa pozitiva fata de sursa;

c)     grila uneori negativa alteori fata de sursa, drena pozitiva fata de sursa; CORECT

d)     grila uneori negativa alteori fata de sursa, drena negativa fata de sursa.

Care sunt conditiile corecte de polarizare pentru un TECMOS cu canal initial p folosit ca simplu amplificator?

a)     grila intotdeauna negativa fata de sursa, drena intotdeauna negativa fata de sursa;

b)     grila intotdeauna negativa pozitiva fata de sursa, drena intotdeauna negativa pozitiva fata de sursa;

c)     grila uneori negativa alteori fata de sursa, drena pozitiva fata de sursa;

d)     grila uneori negativa alteori fata de sursa, drena negativa fata de sursa. CORECT

In practica jonctiunea poarta (grila)- canal a unui tranzistor cu efect de camp cu jonctiune, functionand in regiunea de saturatie este:

a)     nepolarizata;

b)     uneori polarizata invers, alteori polarizata direct

c)     totdeauna polarizata invers; CORECT

d)     totdeauna polarizata direct

Ecuatiile de mai jos:

i_D=i_D(v_DS, v_GS)

i_G≈0

reprezinta modelul matematic al unui tranzistor cu efect de camp care lucreaza:

a)     in regim dinamic de semnal mare;

b)     in regim cvasistatic de semnal mare; CORECT

c)     in regim dinamic de semnal mic;

d)     in regim cvasistatic de semnal mic.

Ecuatiile de mai jos:

reprezinta modelul matematic al unui tranzistor cu efect de camp care lucreaza:

a)     in regim dinamic de semnal mare;

b)     in regim cvasistatic de semnal mare;

c)     in regim dinamic de semnal mic;

d)     in regim cvasistatic de semnal mic. CORECT

Ecuatiile de mai jos:

reprezinta modelul matematic al unui tranzistor cu efect de camp care lucreaza:

a)     in regim dinamic de semnal mare;

b)     in regim cvasistatic de semnal mare;

c)     in regim dinamic de semnal mic; CORECT

d)     in regim cvasistatic de semnal mic.

In conexiunea sursa comuna:

a)     semnalul de intrare se aplica intre grila si sursa iar semnalul de iesire se culege intre drena si sursa; CORECT

b)     semnalul de intrare se aplica ca intre grila si drena iar semnalul de iesire se culege intre sursa si drena;

c)     semnalul de intrare se aplica ca intre grila si sursa iar semnalul de iesire se culege intre drena si grila;

d)     semnalul de intrare se aplica ca intre grila si drena iar semnalul de iesire se culege intre sursa si masa.

In conexiunea drena comuna:

a)     semnalul de intrare se aplica intre grila si sursa iar semnalul de iesire se culege intre drena si sursa;

b)     semnalul de intrare se aplica ca intre grila si drena iar semnalul de iesire se culege intre sursa si drena; CORECT

c)     semnalul de intrare se aplica ca intre grila si sursa iar semnalul de iesire se culege intre drena si grila;

d)     semnalul de intrare se aplica ca intre grila si masa iar semnalul de iesire se culege intre sursa si grila.

In conexiunea grila comuna:

a)     semnalul de intrare se aplica intre grila si sursa iar semnalul de iesire se culege intre drena si sursa;

b)     semnalul de intrare se aplica ca intre grila si drena iar semnalul de iesire se culege intre sursa si drena;

c)     semnalul de intrare se aplica ca intre grila si sursa iar semnalul de iesire se culege intre drena si sursa;

d)     semnalul de intrare se aplica ca intre sursa si grila iar semnalul de iesire se culege intre drena si grila. CORECT

Figura 7 prezinta caracteristica statica de iesire a unui tranzistor cu efect de camp. Regiunea de blocare este notata cu:

Figura 7

a)    

b)    

c)     3; CORECT

d)     nu este prezenta

Figura 7 caracteristica statica de iesire a unui tranzistor cu efect de camp. Regiunea de saturatie este notata cu:

a)    

b)     2; CORECT

c)    

d)     nu este prezenta

Figura 7 prezinta caracteristica statica de iesire a unui tranzistor cu efect de camp. Regiunea liniara este notata cu

a)     1; CORECT

b)    

c)    

d)     nu este prezenta

In figura 8. este prezentata caracteristica de iesire a unui:

Figura 8

a)     TECJ cu canal n;

b)     TECMOS cu canal initial n;

c)     TECMOS cu canal indus n; CORECT

d)     Tranzistor bipolar de tip pnp

In figura 9 este prezentata caracteristica de iesire a unui:

Figura 9

a)     TECJ cu canal n;

b)     TECMOS cu canal initial n; CORECT

c)     TECMOS cu canal indus n;

d)     Tranzistor bipolar de tip pnp

In figura 10 este prezentata caracteristica de iesire a unui:

Figura 10

a)     TECJ cu canal n; CORECT

b)     TECMOS cu canal initial n;

c)     TECMOS cu canal indus n;

d)     Tranzistor bipolar de tip pnp

Figura 11 prezinta o comparatie intre caracteristicile de transfer ale diverselor tipuri de tranzistoare cu efect de camp cu canal n. Cu 1. este notata caracteristica de transfer pentru:

Figura 11

a)     TECJ; CORECT

b)     TECMOS cu canal initial;

c)     TECMOS cu canal indus;

d)     Tranzistor bipolar

Figura 11 prezinta o comparatie intre caracteristicile de transfer ale diverselor tipuri de tranzistoare cu efect de camp cu canal n. Cu 2. este notata caracteristica de transfer pentru:

a)     TECJ;

b)     TECMOS cu canal initial; CORECT

c)     TECMOS cu canal indus;

d)     Tranzistor bipolar

Figura 11 prezinta o comparatie intre caracteristicile de transfer ale diverselor tipuri de tranzistoare cu efect de camp cu canal n. Cu 3. este notata caracteristica de transfer pentru:

a)     TECJ;

b)     TECMOS cu canal initial;

c)     TECMOS cu canal indus; CORECT

d)     Tranzistor bipolar

In regim de blocare tranzistorul cu efect de camp se comporta:

a)     ca un circuit intrerupt CORECT

b)     ca un scurt circuit

c)     ca o rezistenta comandata

d)     ca un generator de curent comandat in tensiune

In regim liniar tranzistorul cu efect de camp se comporta:

a)     ca un circuit intrerupt

b)     ca un scurt circuit

c)     ca o rezistenta comandata CORECT

d)     ca un generator de curent comandat in tensiune

In regim de saturatie tranzistorul cu efect de camp se comporta:

a)     ca un circuit intrerupt

b)     ca un scurt circuit

c)     ca o rezistenta comandata

d)     ca un generator de curent comandat in tensiuneCORECT

In figura 12 este prezentata schema echivalenta a unui tranzistor cu efect de camp cu canal n care lucreaza in:

Figura 12

a)     regiunea liniara

b)     regiunea de saturatie

c)     regiunea de blocareCORECT

d)     regiunea liniara sau de saturatie

In figura 13 este prezentata schema echivalenta a unui TECJ cu canal n care lucreaza in:

Figura 13

a)     regiunea liniara

b)     regiunea de saturatieCORECT

c)     regiunea de blocare

d)     regiunea liniara sau de saturatie

In figura 14 este prezentata schema echivalenta a unui TECMOS cu canal n care lucreaza in:

Figura 14

a)     regiunea liniara

b)     regiunea de saturatieCORECT

c)     regiunea de blocare

d)     regiunea liniara sau de saturatie

In figura 15 este prezentata schema echivalenta a unui tranzistor cu efect de camp cu canal n care lucreaza in:

Figura 15

a)     regiunea liniaraCORECT

b)     regiunea de saturatie

c)     regiunea de blocare

d)     regiunea liniara sau de saturatie

In figura 13 este prezentata schema echivalenta a unui TECJ cu canal n care lucreaza Inregiunea de saturatie in regim:

a)     regim cvasistatic de semnal mareCORECT

b)     regim cvasistatic de semnal mic

c)     regim dinamic de semnal mare

d)     regim dinamic de semnal mic

In figura 14 este prezentata schema echivalenta a unui TECMOS cu canal n care lucreaza Inregiunea de saturatie in regim:

a)     regim cvasistatic de semnal mareCORECT

b)     regim cvasistatic de semnal mic

c)     regim dinamic de semnal mare

d)     regim dinamic de semnal mic

Ecuatiile de mai jos reprezinta modelul matematic al unui tranzistor cu efect de camp care lucreza in:

i_D≈0

i_G≈0

a)     regiunea liniara

b)     regiunea de saturatie

c)     regiunea de blocareCORECT

d)     regiunea liniara sau de saturatie

Ecuatiile de mai jos reprezinta modelul matematic al unui TECJ care lucreza in:

i_G≈0

a)     regiunea liniara

b)     regiunea de saturatieCORECT

c)     regiunea de blocare

d)     regiunea liniara sau de saturatie

Ecuatiile de mai jos reprezinta modelul matematic al unui TECMOS care lucreza in:

i_G≈0

a)     regiunea liniara

b)     regiunea de saturatieCORECT

c)     regiunea de blocare

d)     regiunea liniara sau de saturatie

In figura 16 este prezentata schema echivalenta a unui tranzistor cu efect de camp care lucreaza in:

Figura 16

a)     regim cvasistatic de semnal mare

b)     regim cvasistatic de semnal micCORECT

c)     regim dinamic de semnal mare

d)     regim dinamic de semnal mic

Ecuatiile de mai jos reprezinta modelul matematic al unui tranzistor cu efect de camp care lucreaza in:

i_g=0

i_d=g_mv_gs

a)     regim cvasistatic de semnal mare

b)     regim cvasistatic de semnal micCORECT

c)     regim dinamic de semnal mare

d)     regim dinamic de semnal mic