Caracteristicile statice pentru tranzistorul bipolar
1.4.1. Modalitatile caracteristicilor statice
Caracteristicile statice indica legatura functionala între curentii si tensiunile la bornele tranzistorului bipolar. Pentru fiecare schema de conectare în regim activ exista o familie de 515i85f caracteristici, ce arata legatura între curentii si tensiunile aplicate la tranzistor.
Patru modalitati de caracteristici descriu proprietatile oricarui dispozitiv cu trei borne:
a) caracteristicile de intrare; b) caracteristicile de
.
Forma de evantai a caracteristicilor de
intrare este conditionata de efectul de modulare a grosimii bazei.
Tensiunii mai mari pe colector îi corespunde o grosime mai mica a bazei.
Rezulta o probabilitate mai redusa de recombinare a purtatorilor
în baza si un curent 
mai mic.
Pentru cazul când avem scurtcircuit la
intrare (
, fig.1.9,a), curentul bazei este aproximativ de doua
ori mai mare decât în regim activ, deoarece jonctiunile emitorului
si colectorului sunt conectate
paralel la sursa de alimentare 
, asa cum este
aratat în fig. 1.9.
Fig.1.8. Caracteristicile de intrare si iesire în cuplaj EC
Regiunea caracteristicilor de iesire din
fig.1.8,b ce se afla în interiorul granitei hasurate, corespunde
regimului activ limitat de parametri electrici maximi permisi: 
, 
,
. Portiunea cu panta înalta a caracteristicii
de iesire corespunde granitei între regimul de saturatie si
regimul activ, deoarece pentru 
jonctiunile
emitorului si ale colectorului sunt polari-zate direct (fig.1.10),
adica 
.
Fig. 1.9. Conectarea jonctiunilor p-n pentru 
Fig. 1.10. Conectarea jonctiunilor p-n pentru
Regimului de blocaj, ilustrat
în fig.1.8,b , corespunde regiunii ce se afla sub caracteristica de
iesire pentru 
, unde curentul colectorului este determinat conform
relatiei
.
În schema EC pentru
circuitul deschis () curentul de scurgere în circuitul colectorului 
este de 
ori mai mare decât
curentul invers al colectorului 
. Aceasta se explica prin conectarea directa a
jonctiunii emitorului, asa cum este prezentat în fig.1.11.
Caracteristicile de transfer si reactie inversa (fig.1.12) reflecta actiunea efectului de modulare a grosimii bazei. Cu majorarea modului tensiunii aplicate la colector, grosimea bazei se micsoreaza, probabilitatea recombinatiei purtatorilor de sarcina scade si curentul bazei se micsoreaza. Curentul bazei ramâne constant la marirea tensiunii aplicate la baza tranzistorului.
Fig.1.11. Conectarea jonctiunilor în cuplaj EC
Fig. 1.12. Caracteristicile de transfer (a) si de reactie inversa (b) pentru tranzistorul bipolar în cuplaj EC
Caracteristicile statice permit de a determina parametrii de baza ai tranzistorului bipolar si sunt utilizate pentru calculul etajelor de amplificare în circuitele electronice cu tranzistoare.
|
