Dioda semiconductoare "p-n"

tehnica mecanica

ALTE DOCUMENTE

Masurarea rezistentei prizelor de pamânt

MĂSURĂRI DE REZISTENTE CU PUNTEA WHEATSTONE

DETERMINAREA ORDINULUI PARŢIAL DE REACŢIE

Determinarea unghiului de inclinare statica si dinamica a navei supuse actiunii unui moment exterior constant sau variabil

Managementul sistemelor logistice

Sistemul de franare

ELECTRONIST, APARATE SI ECHIPAMENTE DE AUTOMATIZARE

cateva defecte tipice pentru sasiul 11AK52

Dioda semiconductoare "p-n"

1p	Figura 1.1 prezinta structura unei jonctiuni "p-n". Cu p a fost notata:
	Figura 1.1
	a) concentratia de atomi acceptori;
	b) concentratia de atomi donori;
	c) concentratia de electroni;
	d) concentratia de goluri.
	Raspuns corect: d.)

1p	Figura 1.1 prezinta structura unei jonctiuni "p-n". Cu n a fost notata:
	a) concentratia de atomi acceptori;
	b) concentratia de atomi donori;
	c) concentratia de electroni;
	d) concentratia de goluri.
	Raspuns corect: c.)

1p	Figura 1.1 prezinta structura unei jonctiuni "p-n". Cu N_A a fost notata:
	a) concentratia de atomi acceptori;
	b) concentratia de atomi donori;
	c) concentratia de electroni;
	d) concentratia de goluri.
	Raspuns corect: a.)

1p	Figura 1.1 prezinta structura unei jonctiuni "p-n". Cu N_Da fost notata:
	a) concentratia de atomi acceptori;
	b) concentratia de atomi donori;
	c) concentratia de electroni;
	d) concentratia de goluri.
	Raspuns corect: b.)

1p	Figura 1.2 prezinta simbolul unei diode semiconductoare. Cu 22422h74w A a fost notat:
	Figura 1.2
	a.) anod; b.) catod; c.) valoarea instantanee totala a caderii de tensiune pe dioda; d.) valoarea instantanee totala a curentului prin dioda; Raspuns corect a.)

1p	Figura 1.2 prezinta simbolul unei diode semiconductoare. Cu 22422h74w C a fost notat:
	a.) anod; b.) catod; c.) valoarea instantanee totala a caderii de tensiune pe dioda; d.) valoarea instantanee totala a curentului prin dioda; Raspuns corect b.)

1p	Figura 1.2 prezinta simbolul unei diode semiconductoare. Cu 22422h74w v_A a fost notat:
	a.) anod; b.) catod; c.) valoarea instantanee totala a caderii de tensiune pe dioda; d.) valoarea instantanee totala a curentului prin dioda; Raspuns corect c.)

1p	Figura 1.2 prezinta simbolul unei diode semiconductoare. Cu 22422h74w i_A a fost notat:
	a.) anod; b.) catod; c.) valoarea instantanee totala a caderii de tensiune pe dioda; d.) valoarea instantanee totala a curentului prin dioda; Raspuns corect d.)

3p	Prin efect de dioda se întelege:
	a.) n functionare normala - practic - curentul prin dioda circula numai de la catod spre anod; b.) n functionare normala - practic - curentul prin dioda circula numai de la anod spre catod; c.) n functionare normala - practic - sensul curentului prin dioda este dictat de circuitul exterior diodei; d.) n functionare normala - practic - curentul prin dioda circula uneori de la anod la catod alteori de la catod la anod; Raspuns corect b.)

1p	Figura 1.3 prezinta structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea notata 1 reprezinta
	Figura 1.3
	a.) regiunea neutra p; b.) regiunea neutra n; c.) regiunea de tranzitie; d.) nu are o semnificatie deosebita. Raspuns corect a.)

1p	Figura 1.3 prezinta structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea notata 2 reprezinta
	a.) regiunea neutra p; b.) regiunea neutra n; c.) regiunea de tranzitie; d.) nu are o semnificatie deosebita. Raspuns corect c.)

1p	Figura 1.3 prezinta structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea notata 3 reprezinta
	a.) regiunea neutra p; b.) regiunea neutra n; c.) regiunea de tranzitie; d.) nu are o semnificatie deosebita. Raspuns corect b.)

2p	Figura 1.4 prezinta structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea de tranzitie -responsabila pentru aparitia efectului de dioda - apare în jurul jonctiunii metalurgice ca efect al: difuziei purtatorilor mobili.
	Figura 1.4
	a.) difuziei purtatorilor fixi; b.) sarcinii purtatorilor mobili; c.) sarcinii purtatorilor fixi; d.) difuziei purtatorilor mobili. Raspuns corect d.)

3p	Figura 1.4 prezinta structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea de tranzitie -responsabila pentru aparitia efectului de dioda - apare în jurul jonctiunii metalurgice ca efect al difuziei purtatorilor mobili. Fenomenul de difuzie este cauzat de:
	a.) gradientul de concentratie a atomilor donori si acceptori dintre regiunea neutra p si regiunea de tranzitie; b.) gradientul de concentratie a atomilor donori si acceptori dintre regiunea neutra n si regiunea de tranzitie; c.) gradientul de concentratie a atomilor donori si acceptori dintre regiunea neutra n si regiunea neutra n; d.) gradientul de concentratie a atomilor donori si acceptori din jurul jonctiunii metalurgice. Raspuns corect d.)

3p	Figura 1.4 prezinta structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea de tranzitie -responsabila pentru aparitia efectului de dioda - apare în jurul jonctiunii metalurgice ca efect al difuziei purtatorilor mobili. Fenomenul de difuzie este cauzat de gradientul de concentratie existent în jurul jonctiunii metalurgice. Urmare a acestui fenomen în structura apar sarcini fixe reprezentate de:
	a.) ionii prinsi în reteaua cristalina; b.) electronii din structura c.) golurile din structura d.) structura retelei cristaline Raspuns corect a.)

2p	Câmpul electric intern existent la nivelul regiunii de tranzitie este datorat:
	a.) ionilor prinsi în reteaua cristalina; b.) electronilor din structura c.) golurilor din structura d.) structurii retelei cristaline. Raspuns corect a.)

2p	*La polarizare inversa* plus (+) pe catod si minus (-) pe anod bariera interna de potential este:
	a.) crescuta; b.) coborâta; c.) neafectata; d.) uneori crescuta, uneori coborâta. Raspuns corect a.)

2p	*La polarizare directa* plus (+) pe anod si minus (-) pe catod bariera interna de potential este:
	a.) crescuta; b.) coborâta; c.) neafectata; d.) uneori crescuta, uneori coborâta. Raspuns corect b.)

2p	Din punct de vedere formal, dioda este integral descrisa de:
	a.) singura ecuatie caracteristica; b.) un sistem de doua ecuatii caracteristice; c.) un numar de ecuatii care depinde de topologia circuitului; d.) un numar de ecuatii care depinde de regimul de functionare Raspuns corect a.)

3p	Din punct de vedere formal, n regim cvasistatic de semnal mare dioda este integral descrisa de o ecuatie de tipul:
	a.)
	b.)
	c.)
	d.)
	Raspuns corect b.)

3p	Din punct de vedere formal, n regim cvasistatic de semnal mic dioda este integral descrisa de o ecuatie de tipul:
	a.)
	b.)
	c.)
	d.)
	Raspuns corect c.)

2p	Ecuatia caracteristica statica (sau mai simplu caracteristica statica) a diodei ideale este
	a.)
	b.)
	c.)
	d.)
	Raspuns corect b.)

2p	Ecuatia caracteristica statica (sau mai simplu caracteristica statica) a diodei ideale este:
	unde: si poarta numele de tensiune termica. S-au folosit notatiile: k constanta lui Boltzman; q sarcina electronului; T temperatura absoluta. La temperatura ambianta e_T are valoarea:
	a.) e_T 2.5 mV b.) e_T 25 mV c.) e_T 250 mV d.) e_T 2.5 V Raspuns corect b.)

1p	Figura 1.5 reprezinta caracteristica statica a unei diode.
	Figura 1.5
	I_S reprezinta
	a) curentul mediu redresat monoalternanta b) curentul maxim admisibil; c) curentul rezidual; d) curentul mediu redresat dubla alternanta Raspuns corect c.)

1p	Figura 1.5 reprezinta caracteristica statica a unei diode.
	V reprezinta:
	a) tensiunea de strapungere; b) tensiunea de prag; c) tensiunea medie redresata monoalternanta d) tensiunea medie redresata dubla alternanta Raspuns corect b.)

1p	Figura 1.5 reprezinta caracteristica statica a unei diode.
	V_BR reprezinta:
	a) tensiunea de strapungere; b) tensiunea de prag; c) tensiunea medie redresata monoalternanta d) tensiunea medie redresata dubla alternanta Raspuns corect a.)

1p	Figura 1.5 reprezinta caracteristica statica a unei diode. Cu 1 a fost notata regiunea de:
	a) strapungere; b) blocare la polarizare inversa c) blocare la polarizare directa d) conductie Raspuns corect a.)

1p	Figura 1.5 reprezinta caracteristica statica a unei diode. Cu 2 a fost notata regiunea de:
	a) strapungere; b) blocare la polarizare inversa c) blocare la polarizare directa d) conductie Raspuns corect b.)

1p	Figura 1.5 reprezinta caracteristica statica a unei diode. Cu 3 a fost notata regiunea de:
	a) strapungere; b) blocare la polarizare inversa c) blocare la polarizare directa d) conductie Raspuns corect c.)

1p	Figura 1.5 reprezinta caracteristica statica a unei diode. Cu 4 a fost notata regiunea de:
	a) strapungere; b) blocare la polarizare inversa c) blocare la polarizare directa d) conductie Raspuns corect d.)

2p	Figura 1.6 prezinta o posibila liniarizare a caracteristicii din figura 1.5 si poarta numele de *model de ordin zero.*
	Figura 1.6
	Conform acestei aproximari schema echivalenta a diodei este:
	a.)
	b.)
	c.)
	d.)
	Raspuns corect d.)

2p	Figura 1.6 prezinta o posibila liniarizare a caracteristicii din figura 1.5 si poarta numele de *model de ordin zero.* Conform acestei aproximari n regim de conductie dioda se comporta ca:
	a) un rezistor; b) un circuit ntrerupt; c) un scurtcircuit; d) un condensator Raspuns corect c.)

2p	Figura 1.6 prezinta o posibila liniarizare a caracteristicii din figura 1.5 si poarta numele de *model de ordin zero.* Conform acestei aproximari n regim de blocare dioda se comporta ca:
	a) un rezistor; b) un circuit ntrerupt; c) un scurtcircuit; d) un condensator Raspuns corect c.)

3p	Multiplicarea în avalansa are loc la:
	a) tensiuni mari si este specifica jonctiunilor slab dopate. b) tensiuni mici si este specifica jonctiunilor puternic dopate. c) tensiuni mari si este specifica jonctiunilor slab dopate. d) tensiuni mici si este specifica jonctiunilor puternic dopate. Raspuns corect a.)

3p	Efectul "tunel" are loc:
	a) tensiuni mari si este specifica jonctiunilor slab dopate. b) tensiuni mici si este specifica jonctiunilor puternic dopate. c) tensiuni mari si este specifica jonctiunilor slab dopate. d) tensiuni mici si este specifica jonctiunilor puternic dopate. Raspuns corect d.)
2p	Figura 1.7 prezinta caracteristica statica a unei diode stabilizatoare.
	Figura 1.7
	Pentru a putea realiza functia de stabilizare a tensiunii o asemenea dioda trebuie sa lucreze n regim de:
	a) strapungere; b) blocare la polarizare inversa c) blocare la polarizare directa d) conductie Raspuns corect a.)

2p	Figura 1.7 prezinta caracteristica statica a unei diode stabilizatoare. Pentru a putea realiza functia de stabilizare a tensiunii trebuie sa satisfaca conditia:
	a) b) c) d) Raspuns corect b.)

2p	În situatii reale exista anumite limitari pentru a evita distrugerea unei diode redresoare. Cele mai uzuale limitari sunt:
	a) I_FM (curentul direct maxim admisibil) si V_BR (tensiunea de strapungere); b) I_ZM (curentul invers maxim admisibil prin dioda) si V_Z (tensiunea nominala de stabilizare) c) I_FM (curentul direct maxim admisibil) si V_Z (tensiunea nominala de stabilizare) d) I_ZM (curentul invers maxim admisibil prin dioda) si I_FM (curentul direct maxim admisibil) Raspuns corect a.)

2p	În situatii reale exista anumite limitari pentru a evita distrugerea unei diode stabilizatoare. Cele mai uzuale limitari sunt:
	a) I_FM (curentul direct maxim admisibil) si V_BR (tensiunea de strapungere); b) I_ZM (curentul invers maxim admisibil prin dioda) si V_Z (tensiunea nominala de stabilizare) c) I_FM (curentul direct maxim admisibil) si V_Z (tensiunea nominala de stabilizare) d) I_ZM (curentul invers maxim admisibil prin dioda) si I_FM (curentul direct maxim admisibil) Raspuns corect b.)

4p	Valoarea curentului I_A care circula prin dioda din figura este aproximativ:
	Figura 1.8
	a) b) c) d) Raspuns corect c.)

4p	Caderea de tensiune pe dioda prezenta n circuitul din figura 1.8 este aproximativ:
	a) b) c) d) Raspuns corect b.)

3p	Conditia de semnal mic pentru o dioda semiconductoare este ndeplinita daca
	a) semnalul pe dioda este mai mic de 2.5 mV b) semnalul pe dioda este mai mic de 10 mV c) semnalul pe dioda este mai mic de 25 mV d) semnalul pe dioda este mai mic de 100 mV Raspuns corect b.)

3p	Conductanta de semnal mic a diodei semiconductoare are valoarea:
	a) b) c) d) Raspuns corect d.)

3p	Modelul matematic al unei diode semiconductoare care lucreaza în regim cvasistatic de semnal mic este:
	a) b) c) d) Raspuns corect a.)

3p	Schema echivalenta a unei diode semiconductoare care lucreaza în regim cvasistatic de semnal mic este:
	a)
	b)
	c)
	d)
	Raspuns corect b.)