ALTE DOCUMENTE
|
||||||||||
Legatura dintre parametrii fizici ai tranzistorului si parametrii h
1.7.1. Rolul parametrilor h în schema
echivalenta si calculul lor
Utilizarea schemelor echivalente pentru analiza circuitelor electronice per 121i86b mite de a obtine legatura dintre procesele fizice care au loc în tranzistor si parametrii circuitelor. Aceasta este posibil daca sunt cunoscute marimile fizice ale parametrilor tranzistorului în circuitele prezentate în fig.1.19 si fig.1.22.
Pentru determinarea relatiilor de legatura între parametrii fizici si parametrii h ai tranzistorului este necesar de a analiza concomitent sistemul de ecuatii a parametrilor h (1.37), (1.38)
si schema echivalenta, prezentata în fig.1.22. În
presupunere ca tensiunea de iesire în aceasta schema este
egala cu zero, adica , tensiunea la intrare poate fi determinata ca
;
. (1.52)
Daca comparam relatiile (1.38) si (1.52), obtinem
. (1.53)
Luând în considerare faptul
ca , obtinem formula de legatura a parametrului
cu parametrii fizici:
. (1.54)
Parametrul se defineste în
schema din fig.1.22 ca divizor de tensiune format de rezistentele
si
daca
, adica
. (1.55)
Coeficientul de transfer dupa curent al tranzistorului cuplat EC se determina cu ajutorul ecuatiei lui Kirghoff pentru circuitul colectorului din schema echivalenta (fig.1.22)
,
Pentru , obtinem
.
Din aceste considerente
.
Luând în considerare ca se obtine
. (1.56)
Parametrul dupa
definitie prezinta conductibilitatea de iesire pentru regim mers
în gol la intrarea tranzistorului. Din relatia (1.55), presupunând ca
amplitudinea curentului bazei este egala cu zero (
), primim
;
. (1.57)
Relatiile (1.53)...(1.57) indica legatura dintre parametrii fizici si parametrii h ai tranzistorului - cuadripol. Analogic putem obtine legatura dintre parametrii fizici si parametrii h ai tranzistorului - cuadripol în schema de cuplare BC
;
;
;
. (1.58)
1.7.2. Determinarea parametrilor fizici dupa parametrii h
În practica apare
problema inversa - dupa parametrii h cunoscuti de determinat
parametrii fizici ai tranzistorului bipolar. Rezolvarea concomitenta a
ecuatiilor (1.54) si (1.57) fata de marimea primite de a
obtine formula de calcul pentru rezistenta jonctiunii emitorului
. (1.59)
Remarcam ca formula
data poate fi utilizata doar în cazul când coeficientul
diferential de reactie inversa poseda o valoare
semnificativa. Daca acest parametru este aproape sau egal cu zero, se
utilizeaza formula (1.40). Relatiile (1.57) si (1.59) permit de
a calcula rezistenta jonctiunii colectorului dupa curent
alternativ
;
;
. (1.60)
Relatiile (1.52), (1.54), (1.57) permit de a obtine formula pentru calculul rezistentei bazei
. (1.61)
În îndrumare marimile ,
,
nu sunt întotdeauna
incluse. De regula, ele sunt calculate dupa parametrii h cunoscuti ai tranzistorului
cuplat dupa schema EC conform relatiilor (1.56), (1.59), (1.60),
(1.61). Parametrii h ai
tranzistorului sunt masurati experimental sau determinati
conform caracteristicile statice.
Analogic poate fi gasita legatura dintre parametrii h si elementele schemei echivalente fizice pentru conectarea tranzistorului BC.
|