Notiunea de tranzistor bipolar. Structura si jonctiunile tranzistorului bipolar
Tranzistor bipolar este numit dispozitivul electronic cu trei pini si doua sau mai multe jonc 343c27d tiuni p-n ce interactioneaza īntre ele. Īn tranzistor se rānduiesc trei regiuni semiconductoare, pentru care pe placheta de izolator din Si-i, prin metoda epitaxial - planara se formeaza regiunile colectorului (C), bazei (B) si emitorului (E) (fig.1.1). Pentru aceasta, īn regiunea Si-n, ce serveste ca colector, prin metoda difuziei este formata regiunea bazei Si-p. Īn aceasta regiune, prin metoda difuziei locale, este format emitorul Si-n cu concentratie majora a impuritatilor donoare.
Fig.1.1. Structura tranzistorului bipolar tip n-p-n
La frontiera regiunii
emitorului cu cea a bazei si de asemenea la frontiera regiunii bazei cu
cea a colectorului se formeaza doua jonctiuni p-n - emitor si colector
(dupa denumirea regiunilor laterale ale structurii). Jonctiunile
interactioneaza daca distanta īntre ele 
, numita latimea bazei, este cu mult mai
mica ca lungimea de difuzie a purtatorilor de sarcina mobili (
).
Lungimea de difuzie 
este distanta pe
care o parcurge electronul sau golul din momentul aparitiei īn
semiconductor pāna la recombinare.
De regula, suprafata jonctiunii colectorului este mai mare ca suprafata jonctiunii emitorului. Regiunea emitorului trebuie sa posede o electroconductibilitate mai īnalta ca cea a bazei si a colectorului. Concentratia impurtatilor īn regiunile tranzistorului bipolar trebuie sa respecte inegalitatea
. (1.1)
|
