ALTE DOCUMENTE
|
||||||||||
TEMA PROIECT:
SINUSOIDAL CU RETEA DE REACTIE POZITIVA WIEN AVAND URMATORII PARAMETRII:
U0=3.5V (tensiunea de iesire
RS=200W (rezistenta de sarcina
Fo min=0.9kHz
Fo max=900kHz
IO=250 mA
Ro=0.6W
( SCHEMA BLOC )
Oscilatorul ce va fi proiectat nu va putea fi conectat direct la o sarcina exterioara, deoarece acest lucru ar putea produce o modificare a frecventei de oscilatie si o distorsionare a semnalului generat . De aceea intre sarcina si oscilator se intercaleaza un etaj separator care va avea :
Rezistenta de intrare (Ri) foarte mare; (mult mai mare decat
rezistenta de iesire a oscilatorului (Roosc)
Rezistenta de iesire (Ro) mica; (mult mai mica decat rezistenta de sarcina (Rs) )
Eventual sa amplifice (daca rezistenta de sarcina are valoare mare) sau sa fie de forma unui repetor pe emitor (pentru valori mici ale impedantei sarcina)
Aleg:
Tmin=00C
Tmax=600C
To=250C (temperatura de functionare)
In aceste conditii se impune ca variatia curentului de colector sa nu depaseasca 5% ( DIc £
Schema etajului de iesire este:
T2 este un generator de curent polarizat prin rezistoarele (R4,R5)
T1 este un etaj colector comun polarizat prin rezistoarele (R1, R2, R3) cu Bootstrap (pentru a mari rezistenta de intrare Ri)
Pentru stabilirea punctelor statice de
functionare pe schema de curent alternativ se echivaleaza sursa de curent ( T2 , R4 , R5, R6 ,C4 ) printr-o rezistenta RechT2 .
Deoarece valoarea acesteia este foarte mare (de ordinul MW) se va neglija in calcule.
Pentru tranzistorul T1:
Evitarea blocarii:
iC1((t) =IC1+Ic 1sinwt >0
in cazul cel mai defavorabil sinwt= -1ÞIC1 > Ic 1 ==17. 5mA
Evitarea saturarii
vCE 1=VCE 1+Vce 1sinwt >Vce 1sat
in cazul cel mai defavorabil sinwt= -1 ÞVCE >Vce 1+Vcesat
consider Vce 1sat =0.6V
Vce 1 =Uo=3.5V
ÞVCE 1 >3.5V +0.6V =4.1V
ALEG:
IC =20 mA
VCE =5V pentru ambele tranzistoare
wt pentru sinwt= 1 Þ
IC max >20mA+17.5mA Û IC max >37. 5mA
Þ V CE max >5V+3. 5V
Û V CEmax >8. 5V
* PD max >(IC*V CE)max =37. 5mA*8. 5V
Û PD max >318.75 mW
Tinand cont de aceste valori maxime pe care trebuie sa le suporte tranzistorul , in acest etaj se folosesc doua tranzistoare BC 337 (Si-planar epitaxial NPN) care au urmatorii parametrii:
IC max =800 mA valoare de varf ICM=1000mA
valoare de varf IBM =200mA
Intervalul de temperatura (Tmin,Tmax) = (-65,150) 0C
Capacitate tipica a colectorului CC = 5pF
VCE 0 =45 V
PD
max =625 mW valoare
Vcesat =0.7 V
fT =200 MHz la IC =10 mA
hfe=(100.600) atunci cand IC=100 mA si VCE=1V
Tranzistorul BC337 are cu o buna aproximare aceeasi parametri cu BC338 si au ca echivalent pe BC327 respectiv BC328.
Ele sunt construite in capsula de plasticTO-92 si au fost destinate folosirii in preamplificatoare, drivere de joasa frecventa sau in etaje de iesire.
Reteaua de polarizare a tranzistorului T1 este:
Unde:
Rbb1=R1½½R2 ; Rbb2=R4½½R5
Vbb1= ; Vbb2=
ECUATIILE NECESARE PENTRU DETERMINAREA VALORII REZISTORELOR SUNT 212c25c :
Vbb2=Rbb2+VBE +R6IC Þ IC=
VBE si bf variaza cu temperatura dupa legi de forma:
IC este minim cand: -VBE este maxim
-este minim Þ la T Tmin
IC este maxim cand: -VBE este minim
-este maxim Þ la T Tmax
Valorile pentru IC min si IC max sunt:
IC max = £ IC (1+5%)
IC min = ³ IC (1-5%)
notez diferenta = k Þ
= DVBE
fie a = si R6min =
Din caracteristicile din catalog ale tranzistorului BC 337 , atunci cand IC= 20mA si VCE = 5V se observa ca:
bf(IC) =170
VBE(IC) =0.635V laTo=250C
Tinand cont de aceste date vor rezulta:
289 554.5mV
85 692.5mV
a
min W
(pentru tranzistorul T1)
Þ IC =
VCE =
VBE si bf variaza cu temperatura dupa legi de forma:
;
IC este maxim cand:
VBE este minim
este maxim
VCE este minim
Conditiile sunt indeplinite cand T=Tmaxim
IC este minim cand:
VBE este maxim
este minim
VCE este maxim
Acestea sunt adevarate cand T=Tminim
Þ £1.05IC (1+5%)
Þ ³ 0.95IC (1-5%)
Inlocuind expresiile pentru si pentru si scazand ecuatiile
va rezulta inegalitatea:
fie = k Þ unde a
iar R61 min=
aceleasi. Tinand cont de valorile gasite anterior vom avea:
a =6.62 si R61 min = 138 W
Valoarea aleasa pentru R6 va trbui sa satisfaca inegalitatea:
Pentru aceste valori se calculeaza : Vbb1 = 15.66V
Se alege R3 de valoare comparabila cu rezistenta rBE de semnal mic a tran- zistorului. (R3 > rBE )
R3 = 270 W ÞRbb1 =5085 W
Stiind:
Rbb1 = 5.085 K
Vbb1 = 15.66 V
Vcc = 19.4 V ÞR1 = 3.74 k
ÞR2 = 15.66 k
Rbb2 = 2.115 k
Vbb2 = 10.238 k
Vcc = 19.4 V ÞR4 = 9.16 k
ÞR5 = 10.238 k
Pentru realizarea practica a etajului de iesire rezistoarele se rotunjesc la valoarea cea mai apropiata care se gaseste in catalog. Astfel se aleg rezistoare cu pelicula metalica RPM-3012.
Acestea au precizie si stabilitate ridicata simultan cu un coeficient de temperatura scazut. Factorul de zgomot pentru rezistente nominale cu- prinse in domeniul 10 W 100 kW este F<0.25 mV/V.
Din seria nominala de valori E192 ( 0. 5% ) se aleg urmatoarele rezistoare:
IC = 19.1 mA
IC max = 19.8 mA
IC min = 18.04 mA
VCE = 5.2 V
VCE max = 5.46 V
VCE min = 5.04 V
ÞTranzistoarele raman in RAN pe tot intervalul de temperatura
Scema de curent alternativ este:
Din catalog se observa ca pentru un curent de colector IC = 19.1mA
Rezistenta rBE a tranzistoarelor este rBE = Þ rBE = 0.22 kW
RechT2 = unde r0 este rezistenta de iesire a tranzistoru- lui T2. ro = cu VA >100 V
Rech T2 este de ordinul MW si poate fi negijat in comparatie cu RS.
Deasemeni Rbb1 = 3k poate fi neglijat fata de RS.
Pentru determinarea tensiuni de intrare astfel incat la iesire sa fie tensiunea de 3.5 V este necesar sa se calculeze valoarea amplificari AV:
UI = ÞUI =3.52 V
Rezistenta de intrare in etaj este :
RI=(rBE R3) + RS[ 1+gm(rBE RS) ]=18.874 kW
Rezistenta de iesire din etaj este:
R0= (rBE/bf) (rBE R3) = 1.28 W
Conditia pe care trebuie sa o indeplineasca oscilatorul este ca rezistenta de iesire din oscilator sa fie mult mai mica decat rezistenta de intrare in etajul de iesire.
Valoarea condensatoarelor este astfel aleasa incat sa reprezinte scurtcircuit la frecventa de lucru. ÞCI = 100 mF
OSCILATORUL CU RETEA WIEN
Tinand cont de conditiile impuse de etajul de iesire rezulta ca este necesar ca oscilatorul ce va fi proiectat sa fie alimentat la o tensiune de
19.4 V ( 20 V) si sa aiba o rezistenta de iesire mult mai mica decat rezis- tenta de intrare in etajul de iesire . Deasemeni luand in cosiderare faptul ca amplificarea pe care o are etajul de iesire este mai mica decat 1 (0.993) pentru a obtine un semnal sinusoidal cu amplitudinea de 3. 5V va trbui ca amplitudinea maxima a semnalului la iesirea oscilatorului sa fie 3. 52 V.
Reteaua WIEN va trbui sa ofere posibilitatea reglarii frecventei semnalului sinusoidal in domeniul 0.9 kHz 900 kHz. Acest lucru va fi facut mai intai brut ,pe decade, apoi fin.
Schema bloc a oscilatorului
este:
unde Rs' esterezistenta de intrare in etajul de iesire (Rs'=18.874 kW )
Reactia negativa a ampificatorului ofera o stabilitate a amplificarii si o marire a rezistentei de intrare in amlpificator.
Reteaua WIEN este conectata la amplificator astfel incat sa realize o reactie pozitiva . Deoarece defazajul intrdos de retea este nul, este necesar ca defazajul amplificatorului sa fie egal cu 2kp; deci amlpificatorul trebuie sa aiba un numar par de etaje (de obicei doua).
RETEAUA WIEN
Vin
Schema este compusa din doua retele de defazare:
0.9kHz 9kHz
9kHz 90kHz
90kHz 900kHz
Insa pentru a nu se pierde
frecventele ce delimiteaza decadele , cele trei intervale vor fi mai mari ,
suprapunandu-se.
Rezistenta R din compunerea retelei va fi formata dintr-un potentiometru Rp si un rezistor Rmin inseriat cu el. Rmin este necesar in curent alternativ pentru a se evita scurtcircuitarea bazei tranzistorului de la intrarea amplifi -catorului atunci cand valoarea rezistentei potentiometrului Rp este zero.
Valoarea rezistentei Rmin se ia o zecime din valoarea potentiometrului: Þ Rmin =
Pentru fiecare decada se va determina:
Þ Rt = 2 Re1
reprezinta puterea necesara pentru a creste temperatura de lucru a termistorului cu un grad oC ; el depinde de dimensiunile termistoruli si de conexiunile adaugate care se comporta ca niste radiatoare de caldura
pentru o functionare satisfacatoare a oscilatorului acest factor trebuie sa fie cuprins intre 0.10 si 0.35 mW/oC
Þ VT ef = 1.65 V
Pentru a reduce influenta temperaturii mediului, termistorul va lucra la o temperatura cuprinsa in intervalul 50oC 150oC.
Termistorul ce va fi folosit este de tipul 6343 Philips [9] si are urmatorii parametrii:
¾ puterea disipata maxima Pdmax = 20 mW
¾factorul de disipatie Gt = 0.11 mW/oC
¾tt = 6 s
Din caracteristicile acestuia UT ef = f(IT) si RT = f(T) se alege un termistor de valoare RTo = 10 kW (vezi anexa 3)
Deasemeni tot din diagrame rezulta IT = 10 mA
Pdef = UT ef IT ef =16.5 mW <20 mW (limita maxima)
Temperatura la care va lucra termistorul este: T = Þ T = 150oC
Pentru ca variatiile rezistentei neliniare sa nu poata urmari variatiile tensiunii in timpul unei perioade este necesar ca:
tt ³ Tosc unde Tosc este perioada frecventei minime de oscilatie
Tosc = = 0.001 deci conditia este indeplinita
ÞRe1 = = 82.5 W
Schema in bucla deschisa a
amplificatorului (fara reactia Wien)
este urmatoarea:
dupa pasivizarea intrarii si iesirii se obtine:
Pentru stabilirea punctelor starice de functionare sunt necesare urmatoarele conditii:
Evitarea saturarii tranzistorului Q2:
Þ VCE1 > 1.17 V + 0.6 V = 1.77 V
Vo
Rech reprezinta rezistenta echivalenta a sursei de curent. In calcule Rech se va neglija deoarece este foarte mare.
Pentru alegerea tranzistorului T1 se va presupune ca prin R3 trece un curent mai mic sau egal cu Ir astfel incat valoarea maxima a curentului prin colectorul lui T1 sa nu depaseacsa 300 mA (in aproximatia IC IE )
VCE 1 =Vin - Vo
S-a ales pentru tensiunea de inteare valoarea de 26 V ( 10 % ).
ÞVCE 1 max = Vinmax - Vo VCE 1 max =28. 6 - 20 =8. 6 V
PD1 max = VCE 1 max * IC1 max PD1 max =2580 mW
Tranzistorul T1 va trebui sa suporte un curent de colector mai mare de 300mA si sa disipe o putere mai mare de 2580 mW. Se alege din catalog un tranzistor BD 135. Acesta este NPN in capsula de plastic SOT-32, si este recomandat a fi folosit in etaje drivere.
Parametri tranzistorului sunt urmatorii:
VCE o = 45 V
Ic max = 1. 5 A
Ptot = 12. 5 W
VCE sat = 0.6 V la Ic = 500 mA
FT = 50 MHz la Ic = 50 mA
Din caracteristicile de transfer se observa ca pentru un
curent de colector de 300 mA si o tensiune VCE = 8 V, bf 150 valoare
Curentul de colector al tranzistorului T2 se va lua egal cu curentul prin dioda DZ2, deci Ic2 = 50 mA. Cu aceasta conditie (de a suporta 50 mA prin colector ) ,T2 se alege de tipul BC 107A avand parametrii:
VCBO max = 50 V
VCEO max = 45 V
IC max = 100 mA
Ptotmax = 300 mW
H21 E = 125.500
FT = 300 MHz
F = 10 dB
Rezulta de aici conditia ca Ptot < 300 mA, si implicit VCE2 < 300/50=6 V.
Pentru VCE2 exista si o limitare inferioara: VCE2 >VCesat=0.7 V
Din catalog pentru Ic = 50 mA si VCE =4 V se determina b2 =130
Desfacand buclele de reactie se obtine urmatoarea schema:
RL = = 80 W
aV = cum T1 lucreaza in conexiune colector-comun rezulta ca
=
gm1 40 Ic1 =40*290 mA Þ gm1 = 11600 mA/V
rbe1 = = Þ rbe1 =12. 93 W
gm2 40 Ic2 =40*50 Þ gm2 = 2000 mA/V
rbe2 = Þ rbe2 = 65 W
RiT1 = rbe1 = (b1 + 1) Rl' unde Rl' =(R4+R5) || R3 || Rl
Presupunand R3 > 1kW ÞRl' = 74. 07 W
ÞRiT1 = 12. 93 +151*74. 07 =11197. 5 W =11. 197 kW
Þ =
R4||R5 = 249 W Þ = 4628
RiT2 = ÞRit2 = 314/131=2. 39 W
Tinand cont de presupunerea anterioara(R3 de ordinul kW) ÞRiT2|| R3 RiT2
Þ = = 0. 37
Avand valorile celor doua rapoarte rezulta o amplificare:
VCBO max = 5 V
VCEO max = 45 V
VCE sat =0. 95 V la Ic = 2 mA
IC max = 100 mA
Ptotmax = 300 mW
H21 E = 75.260
FT = 130 MHz
F = 1 dB
Ic3 = 50 + 1. 85 = 51. 85 mA Pentru acest curent de colector din caraccteristicile de catalog se obtine b3 = 140
Pentru calculul rezistentei R2 se va tine cont de tensiunea aleasa pentru VCE2
Astfel se inpune VCE2 = 4 V > VCesat
IR2*R2 = Vz2 +VCE2 Þ R2 =
IR2 = Iz1 + IB3 ; IB3 = = Þ IB3 = = 0. 37 mA
Þ R2 = kW R2 = 0. 2779 kW
R2 trebuie sa fie capabila sa disipe o putere PR2 = 14*50. 37 mW = 705.18 mW
Din catalog se alege valoarea standard R2 = 270 W din seria E24( 5%).
Aceasta este un rezistor RBC 1001 capabila sa disipe o putere de 1W si are:
Coeficient de temperatura Ko = 200 10-6/oC
Rezistenta de izolatie Riz:>100 MW
Rigiditate dielectica 1500 V cc/60 s
Categorie climatica: 40/125/21
Dioda DZ1 va fi aleasa de tipul PL 12 Z de 1 W prin care va circula un curent de 50 mA. Parametrii acesteia sunt:
Iz = 50 mA (curentul prin dioda)
Rz = 7 W (rezistenta dinamica)
aVZ =6. 5*10-4/oC (coeficient de temperatura)
Izmax = 79 mA (curentul maxim prin dioda)
R1 = = kW Þ R1 = 0. 220 kW
Deasemeni R1 va trebui sa fie capabila sa disipe o putere PR1 = 11. 4*51. 81 mW Þ PR1 = 590. 63 mW
Din acest motiv R1 va fi tot de tipul RBC1001 din seria E24( 5% ). Valoarea ei va fi R1 = 220 W
Pentru o reglare cat mai precisa o tensiunii de iesire Vo intre rezistoarele R4 si R5 se poate intercala un potentiometru de Rp = 100 W, valorile pentru R4 si R5 modificandu-se astfel incat: R4 + R5 + Rp = 1kW
Se obtin: R4' = 407 W si R5' = 493 W (valori normalizate) tot de tipul RPM-3025 din seria E192
Semireglabilul este simplu , tip P-32721 , avand:
Puterea disipata nominala Pdn = 0. 25 W
Tensiunea nominala limita Unlin = 250 V
Schema intregului oscilator este urmatoarea:
LISTA DE COMPONENTE
REZISTENTE |
VALOARE |
TIP |
R1 |
220 W |
RBC 1001 |
R2 |
270 W |
RBC 1001 |
R3 |
1. 2 kW |
RPM 3012 |
R4 |
407W |
RPM 3025 |
R5 |
493 W |
RPM 3025 |
R6 |
816 W |
RPM3025 |
R7 |
1. 25 kW |
RPM 3025 |
R8 |
392 W |
RPM 3025 |
R9 |
105 W |
RPM 3025 |
R10 |
1 k W |
RPM 3025 |
R11 |
1 k W |
RPM 3025 |
R12 |
3. 74 k W |
RPM 3012 |
R13 |
15. 6 kW |
RPM 3012 |
R14 |
270W |
RPM 3012 |
R15 |
9 .2 kW |
RPM 3012 |
R16 |
10. 2 kW |
RPM 3012 |
R17 |
470 W |
RPM 3012 |
TERMISTOR |
|
|
Rt |
10 kW |
6343 PHILIPS [9] |
POTENTIOMETRE |
|
|
Rp1 |
100 W |
P 32721 |
Rp2+Rp3 |
10 kW+ 10 kW |
P 32723 |
CONDENSATOARE |
|
|
C1 |
100 mF |
EG 52. 56 |
C2 |
15 nF + 1 nF |
HC 24. 16 |
C3 |
1. 7 nF |
HC 39. 02 |
C4 |
160 pF |
PS 00. 11 |
C5 |
15 nF + 1 nF |
HC 24. 16 |
C6 |
1. 7 nF |
HC 39. 02 |
C7 |
160 pF |
PS 00. 11 |
C8 |
100 mF |
EG 52. 56 |
C9 |
100 mF |
EG 52. 56 |
C10 |
100 mF |
EG 52. 56 |
C11 |
100 mF |
EG 52. 56 |
C12 |
100 mF |
EG 52. 56 |
TRANZISTOARE |
|
|
T1 |
BD 135 |
|
T2 |
BC 107A |
|
T3 |
BC 177 |
|
T4 |
BC 107A |
|
T5 |
BC107A |
|
T6 |
BC 337 |
|
T7 |
BC 337 |
|
DIODE |
|
|
DZ1 |
PL 10 Z |
|
DZ2 |
PL 12 Z |
|
CUPRINS
TEMA PROIECT:.............1
OSCILATORUL CU RETEA WIEN.....11
RETEAUA WIEN.............12
STABILIZATORUL............26
BIBLIOGRAFIE
1.CIRCUITE INTEGRATE LINIARE
Autor M. Ciugudean, V. Tiponut, M. E. Tanase
Editura Facla,
2.PROIECTAREA UNOR CIRCUITE ELECTRONICA
Autor: M. Ciugudean
Editura Facla,
|