Simularea caracteristicilor de iesire si a transconductantei pentru tranzistorul MOS
Se doreste simularea a doua tranzistoare complementare realizate in tehnologie MOS.
Cele doua tranzistoare sunt:
IRF150 (canal n)
IRF9140 (canal p)
Pentru fiecare dintre cele doua tranzistoare se doreste
ridicarea caracteristicii de iesire (adica variatia curentului de drena pentru tensiune drena-sursa liniar crescatoare de la 0V la 5V, cand tensiunea grila-sursa creste de la 0V la 5V cu pas de 0.5V). Trebuie sa rezulte o familie de curbe.
ridicarea caracteristicii transconductantei (adica variatia curentului de drena pentru tensiune de grila-sursa liniar variabila intre 0V si 5V, cu tensiune sursa-substrat 0V).
Se vor prezenta, pentru toate cele patru situatii:
Schema de polarizare (folosita pentru simulare),
Continutul fisierului .sch corespunzator,
Rezultatele simularii (familia de caracteristici - reprezentare grafica).
Tranzistorul IRF9140 (canal p )
Schema de polarizare :
Caracteristicile de iesire:
Fisierul de intrare .CIR :
* C:Documents and SettingsaaaDesktoptreiCEF.sch
* Schematics Version 9.1 - Web Update 1
* Wed Apr 09
** Analysis setup **
.DC LIN V_VDS 0V 5V 0.1V
+ LIN V_VGS 0V 5V 0.1V
.OP
* From [PSPICE NETLIST] section of pspiceev.ini:
.lib 'nom.lib'
.INC 'CEF.net'
.INC 'CEF.als'
.probe
.END
Schema de polarizare pentru ridicarea caracteristicii transconductantei:
Caracteristica transconductantei :
Tranzistorul IRF150 (canal n)
Schema de polarizare :
Fisierul de intrare .CIR:
* C:Documents and SettingsaaaDesktoptreiCEF2.sch
* Schematics Version 9.1 - Web Update 1
* Tue Apr 08 18:37:02 2008
** Analysis setup **
.DC LIN V_VDS 0V 5V 0.5V
+ LIN V_VGS 0V 5V 0.5V
.OP
* From [PSPICE NETLIST] section of pspiceev.ini:
.lib 'nom.lib'
.INC 'CEF2.net'
.INC 'CEF2.als'
.probe
.END
Caracteristicile de iesire:
Schema de polarizare pentru ridicarea caracteristicii transconductantei:
Caracteristica transconductantei :
|
