Īn functie de principiul de functionare pot fi tranzistori bipolari sau tranzistori cu efect de cāmp.
2.1. Teoria elementara a TBP
Īn figura 2.2 sunt prezentate, īn corespondenta cu figura 2.1, simbolurile celor doua tipuri de tranzistori bipolari (tipul PNP si tipul NPN) precum si regulile de asociere a curentilor si tensiunilor.
Se constata ca simbolul tranzistorului contine o sageata care indica sensul curentului prin terminalul emitorului si tipul tranzistorului. Daca sageata este orientata catre simbol tranzistorul este PNP.
Sensurile celorlalti doi curenti sunt invers decāt sensul curentului de emitor, asa īncāt sa avem relatia
I
=I
+I
.
Tensiunile se noteaza cu indici īn ordinea primul indice - de unde pleaca iar al doilea - unde ajunge ( s.ex. VCE = VEC ) asa īncāt avem relatia pentru tensiuni
V
+V
+V
=
Pentru a descrie comportarea dispozitivului trebuie sa avem relatiile dinte marimile (3 curenti si 3 tensiuni) asociate tranzistorului. Cele doua relatii elimina doua din variabile asa īncāt ramān numai 4 marimi.
De regula atāt modelele cāt si caracteristicile statice considera doua din marimi independente (urmānd a fi impuse din exterior) iar celelalte doua se exprima analitic sau grafic īn functie de marimile independente.
Teoria elementara a tranzistorului considera structura tranzistorului din figura 2.3 cu jonctiunile polarizate de cele doua surse una īn conductie (jonctiunea EB emitor - baza) si cealalta īn polarizare inversa (jonctiune CB colector - baza).
2.7. Polarizarea tranzistorului cu efect de cāmp
Īn figura 2.26 sunt prezentate schemele clasice de polarizare a tranzistorului cu efect de cāmp īn zona activa de functionare.
Structurile de polarizare, constatam ca sunt aceleasi indiferent de tipul tranzistorului fie bipolar, fie cu efect de cāmp.
Condensatorul CS īn regim de curent alternativ decupleaza rezistorul RS.
Īn cazul tranzistorului TEC-J, tensiunea de polarizare a grilei este negativa, motiv pentru care rezistorul RS este obligatoriu prezent īn schema.
Fig. 2.26.
Considerānd curentul absorbit de grila neglijabil, pentru schema cu o singura rezistenta īn circuitul grilei tensiunea de polarizare a grilei este
VGS = - RS ID ,
iar pentru chema cu doua rezistente
Tensiunea aplicata canalului, pentru ambele scheme din figura 2.26 este
VDS = VDD - (RS + RD) ID .
2.8. Circuite echivalente ale TEC
Indiferent de tipul tranzistorului (TEC-J sau TEC-MOS), īn regim variabil schema echivalenta se construieste plecānd de la faptul ca numai tensiunile modifica valoarea curentului
.
Variatia curentului de drena poate fi exprimata prin diferentierea functiei f
,
.
Relatia pe baza careia se construieste schema echivalenta (prezentata īn figura 2.27).
Derivatele partiale se noteaza
gm - panta tranzistorului,
gd - conductanta drenei,
ID - amplitudinea variatiei curentului de drena īn jurul punctului static de functionare.
Valorile īn care se īncadreaza parametrii de regim variabil ai tranzistorilor cu efect de cāmp sunt
gm = 0,1 ... 10 mA/V;
rd = 0,1 ... 1 MΩ.
Cānd frecventa tensiunii de intrare este mare īncep sa conteze capacitatile dintre electrozi, motiv pentru care schema echivalenta de la frecvente medii se completeaza cu capacitatile CGS, CGD, CDS ca īn figura 2.28.
Exista īntre grila si drena o
legatura (īntre iesire si intrare) motiv pentru care nu se
utilizeaza aceasta schema echivalenta, ci se
transforma, pe baza teoremei lui Miller, īntr-o alta schema
echivalenta fara transfer de la iesire la intrare. Īn
schema echivalenta nu mai apare 
iar capacitatile la
intrare si de la iesire devin functii de factorul de amplificare
īn tensiune de la frecvente medii.
|
