Tranzistoare bipolare

3p

Pentru ca o structura de tip "pnp" sau "npn" sa se comporte ca un tranzistor bipolar este necesar ca:

a)      baza sa fie foarte îngusta;

b)      emitorul sa fie puternic dopat;

c)      baza sa fie foarte îngusta si emitorul puternic dopat;

d)      baza sa fie foarte îngusta sau emitorul puternic dopat;

Raspuns corect c.)

2p

Emitorul unui tranzistor bipolar:

a)     are rolul de "colecta" fluxul principal de purtatori care circula prin structura;

b)     are rolul de a controla fluxul principal de purtatori care circula prin structura;

c)     are rolul de a "emite" (genera) fluxul principal de purtatori care circula prin structura;

d)     nu are un rol specific

Raspuns corect c.)

2p

Colectorul unui tranzistor bipolar:

a)     are rolul de "colecta" fluxul principal de purtatori care circula prin structura;

b)     are rolul de a controla fluxul principal de purtatori care circula prin structura;

c)     are rolul de a "emite" (genera) fluxul principal de purtatori care circula prin structura;

d)     nu are un rol specific.

Raspuns corect a.)

2p

Baza unui tranzistor bipolar:

a)     are rolul de "colecta" fluxul principal de purtatori care circula prin structura;

b)     are rolul de a controla fluxul principal de purtatori care circula prin structura;

c)     are rolul de a "emite" (genera) fluxul principal de purtatori care circula prin structura;

d)     nu are un rol specific.

Raspuns corect b.)

1p

Figura 3.1 prezinta

Figura 3.1

a)     un tranzistor cu efect de câmp cu jonctiune cu canal n;

b)     un tranzistor cu efect de câmp cu jonctiune cu canal p;

c)     un tranzistor bipolar pnp;

d)     un tranzistor bipolar npn. 757p1524h

Raspuns corect d.)

1p

Figura 3.2 prezinta:

Figura 3.2

a)     un tranzistor cu efect de câmp cu jonctiune cu canal n;

b)     un tranzistor cu efect de câmp cu jonctiune cu canal p;

c)     un tranzistor bipolar pnp;

d)     un tranzistor bipolar npn. 757p1524h

Raspuns corect c.)

2p

Un tranzistor bipolar care lucreaza în regim blocat se comporta ca:

a)     un generator de curent comandat;

b)     un scurtcircuit;

c)     un circuit întrerupt;

d)     un comutator

Raspuns corect c.)

2p

Un tranzistor bipolar care lucreaza în regim saturat se comporta ca:

a)     un generator de curent comandat;

b)     un scurtcircuit;

c)     un circuit întrerupt;

d)     un comutator

Raspuns corect b.)

2p

Un tranzistor bipolar care lucreaza în regim activ normal se comporta între emitor si colector ca:

a)     un generator de curent comandat;

b)     un scurtcircuit;

c)     un circuit întrerupt;

d)     un comutator

Raspuns corect a.)

3p

Modelul matematic aproximativ al unui tranzistor bipolar care lucreaza în regim blocat este:

a)     si

b)     si

c)     si

d)     si

Raspuns corect a.)

3p

Modelul matematic aproximativ al unui tranzistor bipolar care lucreaza în regim de saturatie este:

a)     si

b)     si

c)     si

d)     si

Raspuns corect b.)

2p

În situatia în care un trazistor bipolar lucreaza în regim activ normal:

a)     jonctiunea emitorului este în conductie, iar jonctiunea colectorului este polarizata invers;

b)     jonctiunea emitorului este polarizata invers, iar jonctiunea colectorului este în conductie;

c)     ambele jonctiuni sunt polarizate invers;

d)     ambele jonctiuni sunt n conductie.

Raspuns corect a.)

2p

În situatia în care un trazistor bipolar lucreaza în regim saturat:

a)     jonctiunea emitorului este în conductie, iar jonctiunea colectorului este polarizata invers;

b)     jonctiunea emitorului este polarizata invers, iar jonctiunea colectorului este în conductie;

c)     ambele jonctiuni sunt polarizate invers;

d)     ambele jonctiuni sunt n conductie.

Raspuns corect d.)

2p

În situatia în care un trazistor bipolar lucreaza în regim de blocare:

a)     jonctiunea emitorului este în conductie, iar jonctiunea colectorului este polarizata invers;

b)     jonctiunea emitorului este polarizata invers, iar jonctiunea colectorului este în conductie;

c)     ambele jonctiuni sunt polarizate invers;

d)     ambele jonctiuni sunt n conductie.

Raspuns corect c.)

2p

În situatia în care un trazistor bipolar lucreaza în regim activ inversat:

a)     jonctiunea emitorului este în conductie, iar jonctiunea colectorului este polarizata invers;

b)     jonctiunea emitorului este polarizata invers, iar jonctiunea colectorului este în conductie;

c)     ambele jonctiuni sunt polarizate invers;

d)     ambele jonctiuni sunt n conductie.

Raspuns corect b.)

1p

Pentru ca un tranzistor bipolar sa functioneze ca simplu amplificator este necesar ca tranzistorul sa opereze:

a)     în regim activ normal;

b)     în regim saturat;

c)     în regim de blocare;

d)     în regim activ inversat.

Raspuns corect a.)

3p

În situatia în care un trazistor bipolar lucreaza în regim activ normal jonctiunea emitorului este în conductie, iar jonctiunea colectorului este polarizata invers. În aceasta situatie apare efectul de tranzistor. Acesta consta n

a)     trecerea unui curent de valoare relativ mare prin jonctiunea polarizata direct a emitorului;

b)     trecerea unui curent de valoare relativ mica prin jonctiunea polarizata direct a emitorului;

c)     trecerea unui curent de valoare relativ mica prin jonctiunea polarizata invers colectorului;

d)     trecerea unui curent de valoare relativ mare prin jonctiunea polarizata invers colectorului.

Raspuns corect d.)

3p

În situatia în care un trazistor bipolar lucreaza în regim activ normal, în structura apare asa numitul efect de tranzistor. Explicatia constǎ în faptul cǎ:

a)     exista un efect de tunelare n baza

b)     exista un efect multiplicare n avalansa la nivelul bazei;

c)     baza fiind foarte îngustǎ (mult mai micǎ decât lungimea de difuzie), purtǎtorii injectati de emitor ajung în jonctiunea colectorului de unde sunt preluati de câmpul accelerant existent la nivelul jonctiunii;

d)     câmpul electric din baza accelereaza purtatorii injectati de emitor;

Raspuns corect c.)

1p

Figura 3.3 prezinta:

Figura 3.3

a)     conexiunea emitor comun;

b)     conexiunea baza comuna;

c)     conexiunea colector comun;

d)     conexiunea drena comuna.

Raspuns corect a.)

1p

Figura 3.4 prezinta:

Figura 3.4

a)     conexiunea emitor comun;

b)     conexiunea baza comuna;

c)     conexiunea colector comun;

d)     conexiunea drena comuna.

Raspuns corect c.)

1p

Figura 3.5 prezinta:

Figura 3.5

a)     conexiunea emitor comun;

b)     conexiunea baza comuna;

c)     conexiunea colector comun;

d)     conexiunea drena comuna.

Raspuns corect b.)

2p

În conexiunea emitor comun:

a)     semnalele de intrare (sau de comandǎ) sunt tensiunea bazǎ emitor, si curentul de bazǎ, iar semnalele de iesire (sau comandate) sunt tensiunea colector emitor si curentul de colector;

b)     semnalele de intrare (sau de comandǎ) sunt tensiunea bazǎ colector si curentul de bazǎ, iar semnalele de iesire (sau comandate) sunt tensiunea emitor colector si curentul de emitor;

c)     semnalele de intrare (sau de comandǎ) sunt tensiunea emitor bazǎ si curentul de emitor, iar semnalele de iesire (sau comandate) sunt tensiunea colector bazǎ si curentul de colector;

d)     semnalele de intrare (sau de comandǎ) sunt tensiunea bazǎ emitor, si curentul de bazǎ, iar semnalele de iesire (sau comandate) sunt tensiunea emitor colector si curentul de emitor.

Raspuns corect a.)

2p

În conexiunea colector comun:

a)     semnalele de intrare (sau de comandǎ) sunt tensiunea bazǎ emitor, si curentul de bazǎ, iar semnalele de iesire (sau comandate) sunt tensiunea colector emitor si curentul de colector;

b)     semnalele de intrare (sau de comandǎ) sunt tensiunea bazǎ colector si curentul de bazǎ, iar semnalele de iesire (sau comandate) sunt tensiunea emitor colector si curentul de emitor;

c)     semnalele de intrare (sau de comandǎ) sunt tensiunea emitor bazǎ si curentul de emitor, iar semnalele de iesire (sau comandate) sunt tensiunea colector bazǎ si curentul de colector;

d)     semnalele de intrare (sau de comandǎ) sunt tensiunea bazǎ emitor, si curentul de bazǎ, iar semnalele de iesire (sau comandate) sunt tensiunea emitor colector si curentul de emitor.

Raspuns corect b.)

2p

În conexiunea baza comuna:

a)     semnalele de intrare (sau de comandǎ) sunt tensiunea bazǎ emitor, si curentul de bazǎ, iar semnalele de iesire (sau comandate) sunt tensiunea colector emitor si curentul de colector;

b)     semnalele de intrare (sau de comandǎ) sunt tensiunea bazǎ colector si curentul de bazǎ, iar semnalele de iesire (sau comandate) sunt tensiunea emitor colector si curentul de emitor;

c)     semnalele de intrare (sau de comandǎ) sunt tensiunea emitor bazǎ si curentul de emitor, iar semnalele de iesire (sau comandate) sunt tensiunea colector bazǎ si curentul de colector;

d)     semnalele de intrare (sau de comandǎ) sunt tensiunea bazǎ emitor, si curentul de bazǎ, iar semnalele de iesire (sau comandate) sunt tensiunea emitor colector si curentul de emitor.

Raspuns corect c.)

3p

În regim cvasistatic de semnal mare tranzistorul bipolar este integral descris de douǎ si numai douǎ ecuatii, numite ecuatii caracteristice statice, sau pe scurt, caracteristici statice. În mod uzual acestea sunt:

a)     si

b)     si

c)     si

d)     si

Raspuns corect c.)

3p

Caracteristica statica de iesire este:

a)    

b)    

c)    

d)    

Raspuns corect a.)

3p

Caracteristica statica de intrare este:

a)    

b)    

c)    

d)    

Raspuns corect a.)

1p

Figura 3.6 prezinta caracteristica statica de iesire. Cu 1 este notata:

Figura 3.6

a)     regiunea activa normala;

b)     regiunea de saturatie;

c)     regiunea de blocare;

d)     regiunea activa inversata.

Raspuns corect b.)

1p

Figura 3.6 prezinta caracteristica statica de iesire. Cu 2 este notata:

Figura 3.6

a)     regiunea activa normala;

b)     regiunea de saturatie;

c)     regiunea de blocare;

d)     regiunea activa inversata.

Raspuns corect c.)

1p

Figura 3.6 prezinta caracteristica statica de iesire. Cu 3 este notata:

Figura 3.6

a)     regiunea activa normala;

b)     regiunea de saturatie;

c)     regiunea de blocare;

d)     regiunea activa inversata.

Raspuns corect a.)

Figura 3.7 prezinta:

Figura 3.7

a)     caracteristica statica de iesire;

b)     caracteristica statica de intrare;

c)     caracteristica statica de transfer;

d)     caracteristica dinamica de transfer.

Raspuns corect b.)

3p

Schema echivalenta a unui tranzistor care functioneaza în regim de blocare este prezentata în figura notata:

a.)

b.)

c.)

d.)

Raspuns corect a.)

3p

Schema echivalenta a unui tranzistor care functioneaza în regim de saturatie este prezentata în figura notata:

a.)

b.)

c.)

d.)

Raspuns corect b.)

3p

Modelul de ordin zero al unui tranzistor bipolar care opereaza în regim activ normal este reprezentat de:

a)     v_BE=const. si     i_C=i_E

b)     si

c)     si

d)     si

Raspuns corect a.)

3p

Modelul de ordin unu al unui tranzistor bipolar care opereaza în regim cvasistatic de semnal mare în regiunea activa normala este reprezentat de:

a)     v_BE=const. si     i_C=i_E

b)     si

c)     si

d)     si

Raspuns corect b.)

3p

Modelul de ordin doi al unui tranzistor bipolar care opereaza în regim cvasistatic de semnal mare în regiunea activa normala este reprezentat de:

a)     v_BE=const. si     i_C=i_E

b)     si

c)     si

d)     si

Raspuns corect c.)

3p

Schema echivalenta corespunzatoare modelului de ordin unu al unui tranzistor bipolar care opereaza în regim cvasistatic de semnal mare în regiunea activa normala este reprezentat în figura:

a.)

b.)

c.)

d.)

Raspuns corect c.)

3p

Schema echivalenta corespunzatoare modelului de ordin doi al unui tranzistor bipolar care opereaza în regim cvasistatic de semnal mare în regiunea activa normala este reprezentat în figura:

a.)

b.)

c.)

d.)

Raspuns corect d.)

3p

În figura 3.8 cu 1 s-a notat:

Figura 3.8

a)     regiunea din caracteristica ce evidentiaza fenomenul de strapungere primara;

b)     regiunea din caracteristica ce evidentiaza fenomenul de strapungere secundara;

c)     regiunea din caracteristica ce evidentiaza efectul temperaturii;

d)     regiunea din caracteristica ce evidentiaza fenomenul de strapungere tertiara.

Raspuns corect a.)

3p

În figura 3.8 cu 2 s-a notat:

a)     regiunea din caracteristica ce evidentiaza fenomenul de strapungere primara;

b)     regiunea din caracteristica ce evidentiaza fenomenul de strapungere secundara;

c)     regiunea din caracteristica ce evidentiaza efectul temperaturii;

d)     regiunea din caracteristica ce evidentiaza fenomenul de strapungere tertiara.

Raspuns corect b.)

3p

Ambalarea termica este fenomenul prin care:

a)     datorita cresterii temperaturii se poate înt mpla ca i_C sa scada necontrolat;

b)     datorita scaderii temperaturii se poate înt mpla ca i_C sa scada necontrolat;

c)     datorita cresterii temperaturii se poate înt mpla ca i_C sa creasca necontrolat;

d)     datorita scaderii temperaturii se poate înt mpla ca i_C sa creasca necontrolat;

Raspuns corect c.)

3p

Ambalarea termica este fenomenul prin care datorita cresterii temperaturii se poate înt mpla ca i_C sa creasca necontrolat. Explicatia rezida în fenomenul regenerativ ce poate avea loc în structura. Pentru a pune în evidenta acest fenomen regenerativ amintim:

a)     cresterea temperaturii jonctiunii duce la cresterea curentului direct prin ea si cresterea curentului direct prin jonctiune duce la cresterea temperaturii jonctiunii;

b)     cresterea temperaturii jonctiunii duce la scaderea curentului direct prin ea si cresterea curentului direct prin jonctiune duce la cresterea temperaturii jonctiunii;

c)     cresterea temperaturii jonctiunii duce la cresterea curentului direct prin ea si cresterea curentului direct prin jonctiune duce la scaderea temperaturii jonctiunii;

d)     cresterea temperaturii jonctiunii duce la scaderea curentului direct prin ea si cresterea curentului direct prin jonctiune duce la scaderea temperaturii jonctiunii;

Raspuns corect a.)

3p

Caderea de tensiune pe jonctiunea baza emitor variaza o data cu variatia temperaturii cu aproximativ:

a)     1-1.5 mV/^oC.

b)     2-2.5 mV/^oC.

c)     10-15 mV/^oC.

d)     20-25 mV/^oC.

Raspuns corect b.)

1p

Pentru tranzistorul bipolar trebuie specificat ca marimile cele mai importante care limiteaza functionarea tranzistorului sunt definite în planul caracteristicilor de iesire pentru conexiunea emitor comun. Figura 3.9 le pune în evidenta. Cu 1 s-a notat:

Figura 3.9

a)     tensiunea maxima colector - emitor;

b)     curentul maxim de colector;

c)     puterea disipata maxima;

d)     regiunea permisa sau zona de siguranta.

Raspuns corect b.)

1p

Pentru tranzistorul bipolar trebuie specificat ca marimile cele mai importante care limiteaza functionarea tranzistorului sunt definite în planul caracteristicilor de iesire pentru conexiunea emitor comun. Figura 3.9 le pune în evidenta. Cu 2 s-a notat:

a)     tensiunea maxima colector - emitor;

b)     curentul maxim de colector;

c)     puterea disipata maxima;

d)     regiunea permisa sau zona de siguranta.

Raspuns corect c.)

1p

Pentru tranzistorul bipolar trebuie specificat ca marimile cele mai importante care limiteaza functionarea tranzistorului sunt definite în planul caracteristicilor de iesire pentru conexiunea emitor comun. Figura 3.9 le pune în evidenta. Cu 3 s-a notat:

a)     tensiunea maxima colector - emitor;

b)     curentul maxim de colector;

c)     puterea disipata maxima;

d)     regiunea permisa sau zona de siguranta.

Raspuns corect a.)

1p

Pentru tranzistorul bipolar trebuie specificat ca marimile cele mai importante care limiteaza functionarea tranzistorului sunt definite în planul caracteristicilor de iesire pentru conexiunea emitor comun. Figura 3.9 le pune în evidenta. Cu 4 s-a notat:

a)     tensiunea maxima colector - emitor;

b)     curentul maxim de colector;

c)     puterea disipata maxima;

d)     regiunea permisa sau zona de siguranta.

Raspuns corect d.)

3p

Unul dintre modelele matematice pentru regimul cvasistatic de semnal mic al unui transistor bipolar este:

a)     si

b)     si

c)     si

d)     si

Raspuns corect d.)

3p

Marimea poarta numele de transconductanta (panta). Valoarea ei este:

a)     g_m[mS]=2.5I_C[mA]

b)     g_m[mS]=4I_C[mA]

c)     g_m[mS]=25I_C[mA]

d)     g_m[mS]=40I_C[mA]

Raspuns corect d.)

3p

Între (transconductanta) si (rezistenta de intrare) exista relatia:

a)    

b)    

c)    

d)    

Raspuns corect a.)

3p

Circuitele de polarizare ale unui tranzistor bipolar au rolul de a:

a)     stabiliza PSF numai functie de efectele temperaturii;

b)     stabilizarea PSF numai functie de efectele dispersiei parametrilor;

c)     stabilizarea PSF functie de efectele temperaturii sau dispersia parametrilor;

d)     stabilizarea PSF functie de efectele temperaturii si dispersia parametrilor.

Raspuns corect d.)

4p

Figura 3.10 prezinta un circuit elementar de polarizare al unui tranzistor bipolar. Schema echivalenta pentru regimul static a acestui circuit este:

Figura 3.10

a.)

b.)

c.)

d.)

Raspuns corect d.)

4p

Figura 3.10 prezinta un circuit elementar de polarizare al unui tranzistor bipolar. Curentul I_C are expresia:

a)     I_C=

b)     I_C=

c)     I_C=

d)     I_C=

Raspuns corect c.)

4p

Figura 3.11 prezinta un circuit practic de polarizare al unui tranzistor bipolar. Rezistorul R_E asigura stabilizarea termica a etajului. Mecanismul prin care se realizeaza aceasta este:

Figura 3.11

a)

b)

c)

d)

unde:

V_RE - caderea de tensiune pe R_E;

V_E - potentialul emitorului.

Raspuns corect a)

4p

Figura 3.11 prezinta un circuit practic de polarizare al unui tranzistor bipolar. Schema echivalenta a lui este:

a)

b)

c)

d)

Raspuns corect a)

4p

Figura 3.11 prezinta un circuit practic de polarizare al unui tranzistor bipolar. Figura 3.12 prezinta schema echivalenta pentru regimul static a circuitului din figura 3.11. Aplicând teoremele lui Kirchhoff se obtine sistemul de ecuatii:

Figura 3.12

a)

I=I₁+bI_B

I₂=I₁+I_B

I_B+bI_B=I_E

E_C=bI_BR_C+V_CE+I_ER_E

V_BE V_CE bI_BR_C+I₁R_B1

V_BE=I₂R_B2-I_ER_E

b)

I=I₁+bI_B

I₁=I₂+I_B

I_B+bI_B=I_E

E_C=bI_BR_C+V_CE+I_BR_E

V_BE V_CE bI_BR_C+I₁R_B1

V_BE=I₂R_B2-I_ER_E

c)

I=I₁+bI_B

I₁=I₂+I_B

I_B+bI_B=I_E

E_C=bI_BR_C+V_BE+I_ER_E

V_BE V_CE bI_BR_C+I₁R_B1

V_BE=I₂R_B2-I_ER_E

d)

I=I₁+bI_B

I₁=I₂+I_B

I_B+bI_B=I_E

E_C=bI_BR_C+V_CE+I_ER_E

V_BE V_CE bI_BR_C+I₁R_B1

V_BE=I₂R_B2-I_ER_E

Raspuns corect d.)

4p

Figura 3.11 prezinta un circuit practic de polarizare al unui tranzistor bipolar. Echival nd Thevenin divizorul din baza se obtine schema din figura:

a)

b)

c)

d)

unde: si

Raspuns corect b)

4p

Figura 3.11 prezinta un circuit practic de polarizare al unui tranzistor bipolar. Echival nd Thevenin divizorul din baza se obtine schema din figura 3.13. Schema echivalenta pentru regimul static a acestui circuit este:

Figura 3.13

a)

b)

c)

d.)

Raspuns corect c)

4p

Figura 3.11 prezinta un circuit practic de polarizare al unui tranzistor bipolar. Echival nd Thevenin divizorul din baza se obtine schema din figura 3.13. Schema echivalenta pentru regimul static a acestui circuit este prezentata în figura 3.14. Aplicând teoremele lui Kirchhoff se obtine sistemul de ecuatii:

Figura 3.14

a)

I_E=I_E+bI_B

E_C=bI_BI_C+V_CE+I_E

E_B-V_BE=R_EI_E+R_BI_B

b)

I_E=I_B+bI_C

E_C=bI_BI_C+V_CE+I_E

E_B-V_BE=R_EI_E+R_BI_B

c)

I_E=I_B+bI_B

E_C=bI_BI_C+V_CE+I_E

E_B-V_BE=R_EI_E+R_BI_B

d)

I_E=I_B+bI_B

E_C=bI_BI_C+V_BE+I_E

E_B-V_BE=R_EI_E+R_BI_B

unde: si

Raspuns corect c)

4p

Figura 3.11 prezinta un circuit practic de polarizare al unui tranzistor bipolar. Curentul I_C are expresia:

a)

b)

c)

d)

Raspuns corect a)