ALTE DOCUMENTE
|
||||||||||
Tranzistorul bipolar cu jonctiuni
1.Obiectul aplicatiei
Se studiaza tranzistorul bipolar cu jonctiuni (TBJ) lafunctionarea ca amplificatory in regiunea activa normala (RAN) si la functionarea in regim de comutatie.
2.Caracteristicile statice ale TBJ
Un TBJ poate fi considerat un diport avand doua perechi de borne numite porturi, unul de intrare si unul de iesire.
Caracteristicile statice reprezinta graficele dependentelor unui curent in functie de o tensiune, atunci cand celalalt curent si cealalta tensiune sunt constante , la alimentarea circuitului cu TBJ in cureent continuu.
Tipuri de caracteristici statice:
-caracteristici statice de intrare, care reprezinta dependenta intre curentul si tensiunea de intrare iB=iB(uBE)|iC,uCE=constant
-caracteristici statice de transfer, care reprezinta dependenta intre curentul de iesire si tensiunea de intrare iC=iC(uBE)|iB, uCE=constant
-caracteristici statice de iesire , care reprezinta dependenta intre curentul si tensiunea de iesire iC=iC(uCE)|iB, uBE=constant
2.1.Caracteristica
statica de intrare
ANALIZA PSPICE Caracteristica de intrare a tipului NPN de model intern PSpice VCC 3 0 10V IBB 0 1 100uA RB 1 0 1000K RC 2 3 0.01 QT 2 1 0 QINT .MODEL QINT NPN(BF=200) .DC IBB 0uA 100uA 0.5uA .PROBE .END |
Rezultatele masurarii: QINT NPN IS 100.000000E-18 BF 200 NF 1 BR 1 NR 1 |
2.2.Caracteristica statica de transfer
2.3. Caracteristica statica de iesire
ANALIZA PSPICE Caracteristica de iesire a tipului NPN de model intern PSpice VCC 4 0 10V IB 0 1 25uA RB 1 2 0.01 RC 4 3 0.01 QT 3 2 0 QINT .MODEL QINT NPN(BF=200) .DC VCC 0V 10V 0.05V IB 5uA 25uA 5uA .PROBE .END |
Rezultatele simularii: INT NPN IS 100.000000E-18 BF 200 NF 1 BR 1 NR 1 |
Vizualizarea familiei de caracteristici statice de iesire este asigurata de instructiunea .DC cu baleiere imbricate.Sintaxa instructiunii este:
.DC [LIN] <variabila baleiaj> <valoare initiala> <valoare finala> <increment> [urmatoarea specificatie baleiaj]
Instructiunea .DC din fisierul de intrare desemneaza efectuarea unei analize de curent continuu.
3. Studiul TBJ in regiunea activa normala (RAN)
Orice analiza de curent alternative a etajelor de amplificare realizate cu TBJ real se inlocuieste cu modelul sau de curent continuu.
Analiza de c.c. se mai numeste si polarizarea TBJ-ului si are ca scop determinarea punctului static de functionare care este un punct in planul caracteristicilor statice de iesire de coordonate PSF(VCE,IC)
b)
Nr.crt. |
U |
|
|
|
|
|
|
ANALIZA PSPICE Circuit de polarizare pentru un tranzistor bipolar VCC 2 0 12V VBE 1 3 0.7V F 2a 3 VBE 100.0 RB1 2 1 47K RB2 1 0 8.2K RC 2 2a 2K RE 3 0 500 .OP .DC VCC 12V 12V 12V .PRINT DC I(RC) I(RE) .END |
Rezultatele simularii: VCC I(RC) I(RE) 1.200E+01 1.883E-03 1.902E-03 NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE ( 1) 1.6511 ( 2) 12.0000 ( 3) .9511 ( 2a) 8.2332 VOLTAGE SOURCE CURRENTS NAME CURRENT VCC -2.104E-03 VBE 1.883E-05 TOTAL POWER DISSIPATION 2.52E-02 |
|